1. APM (NH4OH / H2O2 / H2O ; Ammonium hydroxide / Hydrogen peroxide / DI Water Mixture)通常称为SC1。

可用于以氧化和微蚀刻来底切和去除表面颗粒,也能去除轻微有机污染物及部分金属化污染物,但硅氧化和蚀刻的同时会发生表面粗糙。

2. HPM (HCI / H2O2 / H2O ; Hydrochloric acid / Hydrogen peroxide / DI water Mixture) 通常称为SC2。

可用于溶解碱金属离子和铝、铁及镁之氢氧化物，另外盐酸中氯离子与残留金属离子发生络合反应形成易溶于水溶液的络合物，可从硅的底层去除金属污染物。

3. SPM (H2SO4 / H2O2 / H2O ; Sulfuric acid / Hydrogen peroxide / DI water Mixture)通常称为SC3。

可用于去除有机污染物的清洗液硫酸，可使有机物脱水而碳化，而双氧水可将碳化产物氧化成一氧化碳或二氧化碳气体。

4. HF or DHF (Hydrofluoric acid or Diluted hydrofluoric acid)

可用于从特殊区域去除氧化物、蚀刻硅二氧化物及硅氧化物，减少表面金属。稀释氢氟酸水溶液被用以去除原生氧化层及SC1和SC2溶液清洗后双氧水在晶圆表面上氧化生成的一层化学氧化层，在去除氧化层的同时，还在硅晶圆表面形成硅氢键，而使其硅片表面呈现疏水性。

5. UPW (Ultrapure water)通常称为DIW

可用于臭氧化的水稀释化学品以及化学清洗后晶片的冲洗液。

搭配兆声波使用可减少化学品及DIW的消耗量，缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间，增加清洗液使用寿命。